?（1）碘化銫

1一般原理：首先，x ray通過熒光介質材料轉換為可見光，然后將可見光信號通過光敏元件轉換為電信號，最后將模擬電信號通過A / D轉換為數字信號。具體原理：曝光前，陽離子被存儲在硅表面上以產生均勻的電荷，從而在硅表面上產生電場。

2.在曝光期間，將在硅中產生電子-空穴對，并且自由電子將釋放到表面，從而在硅表面上生成電勢電荷圖像，并且每個點的電荷密度等于局部x ray強度。

3.曝光后，將x ray圖像存儲在每個像素中；

4.半導體轉換器讀取每個元素并完成模數轉換。

優勢：

1.轉換效率高；

2.動態范圍廣；

3.高空間分辨率；

4.在低分辨率區域具有較高的x ray吸收率（因為其原子序數高于非晶硒的原子序數）；

5.較強的環境適應性。

缺點：

1.大劑量DQE不如非晶態硒。

2.熒光轉換層引起的輕微散射效應；

3.澄清度略低于無定形硒。

（2）非晶硒型

一般原理：光電導半導體將接收到的x ray光子直接轉換為電荷，然后通過薄膜晶體管陣列讀取并數字化電信號。

具體原則：

1. x ray入射光子激發非晶硒層中的電子-空穴對；

2.在外部電場的作用下，電子和空穴以相反的方向移動以產生電流。電流的大小與入射的x ray有關。光子的數量成正比；

3.這些電流信號被存儲在TFT的電極之間的電容上，并且每個TFT和該電容形成像素單元。

優勢：

1.轉換效率高；

2.動態范圍廣；

3.高空間分辨率；

4.良好的清晰度；

缺點：

1. x ray吸收率低，在低劑量條件下不能保證圖像質量。增加x ray的劑量不僅會增加疾病源射線的吸收，還會占用過多的x ray系統。

2.硒層對溫度敏感，使用條件有限，環境適應性差。
 

（三）CCD型

一般原理：增強型屏幕用作x ray交互介質，并添加CCD以數字化x ray圖像。

具體原理：以MOS電容器的類型為例：在P型硅的表面形成一層SiO2，然后在其上蒸鍍一層多晶硅作為電極，并對其施加電壓。 。 。 P-。電極的Si型襯底形成在電極A的低勢能區或勢阱下方。勢阱的深度與電壓有關。電壓越高，勢阱越深。光生電子存儲在勢阱中。光生電子的數量與光的強度成正比。因此，存儲的電荷量也反映了該點的亮度。存儲在數百萬個感光單元中的電荷形成與該圖像相對應的電荷圖像。

優勢：

1.高空間分辨率；

2.幾何變形小；

3.均勻性好。